Антава

INFINEON

Транзистор BSZ035N03MSGATMA1

BSZ035N03MSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
40 A
Power dissipation
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ035N03MSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current40 A
Power dissipation69 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя