Антава

INFINEON

Транзистор BSZ018NE2LSATMA1

BSZ018NE2LSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
40 A
Power dissipation
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSZ018NE2LSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current40 A
Power dissipation69 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя