Антава

NEXPERIA

Транзистор BST82,235

BST82,235
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.19 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBST82,235
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.19 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.83 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.83W

Документация

Документы пока не предоставлены.