Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор BSS84WAHZGT106

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-0.21 A
Рассеиваемая мощность
0.3 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
5.3 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 165 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%19,72 ₽

Сумма · с НДС 22%12 896,88 ₽

От 654 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 65419,72 ₽
от 100018,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS84WAHZGT106
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-60 V
Drain current-0.21 A
Рассеиваемая мощность0.3 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -60V; -210mA; 300mW

Документация

Документы пока не предоставлены.