ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор BSS84T116

BSS84T116

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -0.23 A
Pulsed drain current: -0.92 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BSS84T116
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-0.23 A
Pulsed drain current	-0.92 A
Power dissipation	0.35 W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	6.4 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A

Документация

Документы пока не предоставлены.