INFINEON
Транзистор BSS84PWH6327XTSA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -0.15 A
- Power dissipation
- 0.3 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 815 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%49,77 ₽
Сумма · с НДС 22%248,85 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 5 | 49,77 ₽ | |
| от 50 | 31,80 ₽ | |
| от 100 | 27,62 ₽ | |
| от 250 | 23,25 ₽ | |
| от 500 | 19,70 ₽ | |
| от 1000 | 15,78 ₽ | |
| от 3000 | 10,85 ₽ | |
| от 6000 | 8,47 ₽ | |
| от 9000 | 8,28 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS84PWH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -0.15 A |
| Power dissipation | 0.3 W |
| Корпус | PG-SOT-323 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 8 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.37nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.