INFINEON
Транзистор BSS84PH6327XTSA2
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -0.14 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.36 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 327 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%55,19 ₽
Сумма · с НДС 22%275,95 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 5 | 55,19 ₽ | |
| от 50 | 30,24 ₽ | |
| от 100 | 24,54 ₽ | |
| от 250 | 18,70 ₽ | |
| от 500 | 15,35 ₽ | |
| от 1000 | 12,68 ₽ | |
| от 3000 | 9,60 ₽ | |
| от 6000 | 8,20 ₽ | |
| от 9000 | 7,53 ₽ | |
| от 18000 | 7,10 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS84PH6327XTSA2 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -0.14 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.36 W |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 8 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.37nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.