ONSEMI
Транзистор BSS84LT1G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -50 V
- Drain current
- -0.13 A
- Power dissipation
- 0.225 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 5 012 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%64,83 ₽
Сумма · с НДС 22%64,83 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 64,83 ₽ | |
| от 5 | 43,47 ₽ | |
| от 10 | 36,99 ₽ | |
| от 50 | 26,54 ₽ | |
| от 100 | 23,99 ₽ | |
| от 500 | 19,92 ₽ | |
| от 1000 | 18,15 ₽ | |
| от 1500 | 17,22 ₽ | |
| от 3000 | 15,94 ₽ | |
| от 6000 | 14,87 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS84LT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -50 V |
| Drain current | -0.13 A |
| Power dissipation | 0.225 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 10 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.