NEXPERIA

Транзистор BSS84AKV,115

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50 V
Drain current: -110 mA
Pulsed drain current: -0.7 A
Power dissipation: 0.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	BSS84AKV,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-50 V
Drain current	-110 mA
Pulsed drain current	-0.7 A
Power dissipation	0.5 W
Корпус	SOT666
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	13.5 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.35nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW

Документация

Документы пока не предоставлены.