Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор BSS84AHZGT116

BSS84AHZGT116
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-230 mA
Pulsed drain current
-0.92 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 8 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%98,93 ₽

Сумма · с НДС 22%98,93 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 198,93 ₽
от 1060,27 ₽
от 5045,07 ₽
от 10039,75 ₽
от 50029,68 ₽
от 100026,20 ₽
от 300021,43 ₽
от 600018,87 ₽
от 900017,59 ₽
от 2400014,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS84AHZGT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-230 mA
Pulsed drain current-0.92 A
Рассеиваемая мощность0.35 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A

Документация

Документ производителя