Антава

NEXPERIA

Транзистор BSS84,215

BSS84,215
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-50 V
Drain current
-0.13 A
Power dissipation
0.25 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS84,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-50 V
Drain current-0.13 A
Power dissipation0.25 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя