Антава

INFINEON

Транзистор BSS816NWH6327XTSA1

BSS816NWH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1.4 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 540 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%54,10 ₽

Сумма · с НДС 22%54,10 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 154,10 ₽
от 1026,69 ₽
от 5021,35 ₽
от 10019,37 ₽
от 50015,29 ₽
от 100013,72 ₽
от 300011,42 ₽
от 600010,06 ₽
от 90009,32 ₽
от 240007,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS816NWH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1.4 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.24 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323

Документация

Документ производителяДокумент производителя