Антава

INFINEON

Транзистор BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.3 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSS806NEH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.3 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance82 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23

Документация

Документ производителя