Антава

INFINEON

Транзистор BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.3 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 8 315 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%77,02 ₽

Сумма · с НДС 22%77,02 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 177,02 ₽
от 1037,19 ₽
от 5030,66 ₽
от 10027,99 ₽
от 50022,17 ₽
от 100019,78 ₽
от 300016,10 ₽
от 600013,86 ₽
от 900012,57 ₽
от 2400011,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS806NEH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.3 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance82 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23

Документация

Документ производителя