Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор BSS670T116

BSS670T116
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
650 mA
Power dissipation
0.35 W
Корпус
SOT23-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 743 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%15,20 ₽

Сумма · с НДС 22%9 940,80 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 65415,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS670T116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current650 mA
Power dissipation0.35 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.68 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 350mW; SOT23-3

Документация

Документы пока не предоставлены.