Антава

INFINEON

Транзистор BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
0.54 A
Рассеиваемая мощность
0.36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 11 974 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%60,85 ₽

Сумма · с НДС 22%60,85 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 160,85 ₽
от 1030,98 ₽
от 5024,08 ₽
от 10021,74 ₽
от 50017,22 ₽
от 100015,64 ₽
от 300013,42 ₽
от 600012,22 ₽
от 900011,58 ₽
от 2400010,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS670S2LH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current0.54 A
Рассеиваемая мощность0.36 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.65 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23

Документация

Документ производителяДокумент производителя