INFINEON
Транзистор BSS606NH6327XTSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ 3
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 3.2 A
- Рассеиваемая мощность
- 1 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 91 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%161,89 ₽
Сумма · с НДС 22%161,89 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 161,89 ₽ | |
| от 10 | 75,92 ₽ | |
| от 50 | 65,13 ₽ | |
| от 100 | 60,85 ₽ | |
| от 500 | 51,55 ₽ | |
| от 1000 | 48,01 ₽ | |
| от 2000 | 44,29 ₽ | |
| от 3000 | 42,24 ₽ | |
| от 5000 | 40,01 ₽ | |
| от 10000 | 36,66 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS606NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 3.2 A |
| Рассеиваемая мощность | 1 W |
| Корпус | PG-SOT89 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 90 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.