Антава

INFINEON

Транзистор BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3.2 A
Рассеиваемая мощность
1 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSS606NH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3.2 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусPG-SOT89
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89

Документация

Документ производителя