Антава

INFINEON

Транзистор BSS316NH6327XTSA1

BSS316NH6327XTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1.4 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 173 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%61,53 ₽

Сумма · с НДС 22%61,53 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 161,53 ₽
от 1038,04 ₽
от 5028,75 ₽
от 10025,86 ₽
от 50019,26 ₽
от 100016,86 ₽
от 300013,72 ₽
от 600012,12 ₽
от 900011,26 ₽
от 1500010,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS316NH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1.4 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23

Документация

Документ производителя