Антава

INFINEON

Транзистор BSS314PEH6327XTSA1

BSS314PEH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-1.5 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS314PEH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-1.5 A
Power dissipation0.5 W
КорпусPG-SOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23

Документация

Документ производителя