Антава

INFINEON

Транзистор BSS308PEH6327XTSA1

BSS308PEH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-2 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSS308PEH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-2 A
Power dissipation0.5 W
КорпусPG-SOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23

Документация

Документ производителя