INFINEON
Транзистор BSS225H6327FTSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 90 mA
- Power dissipation
- 1 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 462 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%161,29 ₽
Сумма · с НДС 22%161,29 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 161,29 ₽ | |
| от 10 | 99,59 ₽ | |
| от 50 | 75,77 ₽ | |
| от 100 | 67,33 ₽ | |
| от 250 | 57,95 ₽ | |
| от 500 | 51,76 ₽ | |
| от 1000 | 46,14 ₽ | |
| от 2000 | 42,39 ₽ | |
| от 4000 | 41,07 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS225H6327FTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 90 mA |
| Power dissipation | 1 W |
| Корпус | SOT89 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 45 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.