Антава

INFINEON

Транзистор BSS225H6327FTSA1

BSS225H6327FTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
90 mA
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSS225H6327FTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current90 mA
Power dissipation1 W
КорпусSOT89
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89

Документация

Документ производителя