Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор BSS223PWH6327XTSA1

BSS223PWH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
OptiMOS™ P
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-0.39A
Power dissipation
0.25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS223PWH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ P
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-0.39A
Power dissipation0.25W
КорпусPG-SOT-323
Gate-source voltage±12V
On-state resistance1.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323

Документация

Документ производителя