Антава

INFINEON

Транзистор BSS215P H6327

BSS215P H6327
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.5 A
Power dissipation
0.5 W
Корпус
SOT23-3
Gate-source voltage
±12 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 8 912 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%31,79 ₽

Сумма · с НДС 22%13 383,59 ₽

От 421 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 42131,79 ₽
от 50029,67 ₽
от 100028,13 ₽
от 400026,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS215P H6327
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.5 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3

Документация

Документы пока не предоставлены.