Антава

INFINEON

Транзистор BSS215P H6327

BSS215P H6327
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.5 A
Power dissipation
0.5 W
Корпус
SOT23-3
Gate-source voltage
±12 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSS215P H6327
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.5 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3

Документация

Документы пока не предоставлены.