Антава

INFINEON

Транзистор BSS209PWH6327XTSA1

BSS209PWH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-630 mA
Рассеиваемая мощность
0.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 142 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%63,12 ₽

Сумма · с НДС 22%63,12 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 163,12 ₽
от 1037,69 ₽
от 5027,88 ₽
от 10024,60 ₽
от 50018,61 ₽
от 100016,63 ₽
от 300013,99 ₽
от 600012,64 ₽
от 900011,92 ₽
от 2400010,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS209PWH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-630 mA
Рассеиваемая мощность0.3 W
КорпусPG-SOT-323
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.55 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323

Документация

Документ производителя