INFINEON
Транзистор BSS205NH6327XTSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ 2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 2.5 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.5 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 4 901 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%75,60 ₽
Сумма · с НДС 22%75,60 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 75,60 ₽ | |
| от 10 | 36,32 ₽ | |
| от 50 | 28,43 ₽ | |
| от 100 | 25,52 ₽ | |
| от 500 | 19,67 ₽ | |
| от 1000 | 17,46 ₽ | |
| от 3000 | 14,31 ₽ | |
| от 6000 | 12,50 ₽ | |
| от 9000 | 11,89 ₽ | |
| от 27000 | 11,34 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS205NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 2.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 85 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.