INFINEON
Транзистор BSS192PH6327FTSA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -250 V
- Drain current
- -190 mA
- Рассеиваемая мощность
- 1 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 756 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%179,94 ₽
Сумма · с НДС 22%179,94 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 179,94 ₽ | |
| от 10 | 94,28 ₽ | |
| от 100 | 63,35 ₽ | |
| от 250 | 52,67 ₽ | |
| от 500 | 46,48 ₽ | |
| от 1000 | 42,92 ₽ | |
| от 2000 | 38,99 ₽ | |
| от 3000 | 36,74 ₽ | |
| от 5000 | 33,74 ₽ | |
| от 10000 | 32,43 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS192PH6327FTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -250 V |
| Drain current | -190 mA |
| Рассеиваемая мощность | 1 W |
| Корпус | PG-SOT89 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.