Антава

NEXPERIA

Транзистор BSS192,115

BSS192,115
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-240V
Drain current
-0.12A
Power dissipation
0.56W
Корпус
SC62, SOT89
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS192,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-240V
Drain current-0.12A
Power dissipation0.56W
КорпусSC62, SOT89
Gate-source voltage±20V
On-state resistance25Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89

Документация

Документ производителя