Антава

INFINEON

Транзистор BSS139 H6327

BSS139 H6327
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Drain-source voltage
250 V
Power dissipation
0.36 W
Корпус
SOT23-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS139 H6327
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Drain-source voltage250 V
Power dissipation0.36 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.3nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.