Антава

ONSEMI

Транзистор BSS138LT3G

BSS138LT3G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
0.8 A
Рассеиваемая мощность
0.225 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 399 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%62,29 ₽

Сумма · с НДС 22%62,29 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 162,29 ₽
от 1039,39 ₽
от 2530,92 ₽
от 10021,97 ₽
от 25017,94 ₽
от 50015,28 ₽
от 100013,21 ₽
от 250011,16 ₽
от 500010,00 ₽
от 100009,07 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS138LT3G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current0.8 A
Рассеиваемая мощность0.225 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23

Документация

Документ производителя