Антава

ONSEMI

Транзистор BSS138LT1G

BSS138LT1G
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200 mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source Voltage Vds
50 V
Transistor Case Style
SOT-23
Количество выводов
3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS138LT1G
ПроизводительONSEMI
Channel TypeN Channel
Соответствие RoHSДа
RoHS: фталатыДа
Rds(on) Test Voltage5 (единица не указана)
Drain Source On State Resistance3.5 (единица не указана)
Continuous Drain Current Id200 mA
Рабочая температура, макс.150 (единица не указана)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation225 (единица не указана)
Gate Source Threshold Voltage Max1.5 (единица не указана)
Вещества SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds50 V
Transistor Case StyleSOT-23
Количество выводов3
Исходное описание поставщика

ONSEMI - BSS138LT1G - Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount

Документация

Документ производителя