Антава

NEXPERIA

Транзистор BSS138AKAR

BSS138AKAR
Channel Type
N Channel
Rds(on) Test Voltage
10 V
Drain Source On State Resistance
2.7 Ω
Continuous Drain Current Id
200 mA
Рабочая температура, макс.
150 °C
Transistor Mounting
Surface Mount
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS138AKAR
ПроизводительNEXPERIA
Channel TypeN Channel
Соответствие RoHSДа
RoHS: фталатыДа
Rds(on) Test Voltage10 V
Drain Source On State Resistance2.7 Ω
Continuous Drain Current Id200 mA
Рабочая температура, макс.150 °C
Transistor MountingSurface Mount
Рассеиваемая мощность360 W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2 V
QualificationAEC-Q101
Вещества SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds60 V
Transistor Case StyleSOT-23
Количество выводов3
Исходное описание поставщика

NEXPERIA - BSS138AKAR - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Surface Mount

Документация

Документ производителя