Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор BSS127SSN-7

BSS127SSN-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
40mA
Pulsed drain current
0.16A
Power dissipation
0.61W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS127SSN-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current40mA
Pulsed drain current0.16A
Power dissipation0.61W
КорпусSC59
Gate-source voltage±20V
On-state resistance190Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.08nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59

Документация

Документы пока не предоставлены.