Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор BSS123Q-13

BSS123Q-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.17 A
Pulsed drain current
0.68 A
Power dissipation
0.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS123Q-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.17 A
Pulsed drain current0.68 A
Power dissipation0.3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.