INFINEON
Транзистор BSS123NH6327XTSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 0.15 A
- Pulsed drain current
- 0.77 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 11 860 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%55,86 ₽
Сумма · с НДС 22%55,86 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 55,86 ₽ | |
| от 10 | 28,29 ₽ | |
| от 50 | 21,95 ₽ | |
| от 100 | 19,69 ₽ | |
| от 500 | 15,41 ₽ | |
| от 1000 | 13,91 ₽ | |
| от 3000 | 11,84 ₽ | |
| от 6000 | 10,70 ₽ | |
| от 9000 | 10,11 ₽ | |
| от 15000 | 9,42 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 0.15 A |
| Pulsed drain current | 0.77 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 10 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.6nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.