Антава

INFINEON

Транзистор BSS123N H6327

BSS123N H6327
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.19 A
Power dissipation
0.5 W
Корпус
SOT23-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSS123N H6327
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current0.19 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.