Антава

INFINEON

Транзистор BSS123N H6327

BSS123N H6327
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.19 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Корпус
SOT23-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 13 177 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%21,79 ₽

Сумма · с НДС 22%13 030,42 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 59821,79 ₽
от 100020,48 ₽
от 400019,35 ₽
от 1000019,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS123N H6327
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current0.19 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.