Антава

ONSEMI

Транзистор BSS123LT1G

BSS123LT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
0.17A
Power dissipation
0.225W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS123LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current0.17A
Power dissipation0.225W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23

Документация

Документ производителя