ONSEMI
Транзистор BSS123L
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 0.17 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.36 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 136 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%50,54 ₽
Сумма · с НДС 22%50,54 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 50,54 ₽ | |
| от 10 | 23,64 ₽ | |
| от 50 | 19,20 ₽ | |
| от 100 | 17,38 ₽ | |
| от 500 | 13,19 ₽ | |
| от 1000 | 11,41 ₽ | |
| от 3000 | 8,54 ₽ | |
| от 6000 | 6,75 ₽ | |
| от 9000 | 5,69 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSS123L |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 0.17 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.36 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | logic level |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.