Антава

INFINEON

Транзистор BSS123IXTSA1

BSS123IXTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.15 A
Pulsed drain current
0.77 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 329 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%46,88 ₽

Сумма · с НДС 22%46,88 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 146,88 ₽
от 1022,32 ₽
от 5018,60 ₽
от 10017,10 ₽
от 50013,71 ₽
от 250010,33 ₽
от 30009,94 ₽
от 60008,50 ₽
от 90007,65 ₽
от 240007,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSS123IXTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.15 A
Pulsed drain current0.77 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.63nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.