Антава

INFINEON

Транзистор BSS123IXTSA1

BSS123IXTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.15 A
Pulsed drain current
0.77 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSS123IXTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.15 A
Pulsed drain current0.77 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.63nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.