Антава

ONSEMI

Транзистор BSS123

BSS123
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
0.17A
Power dissipation
0.36W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS123
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current0.17A
Power dissipation0.36W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance12Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23

Документация

Документ производителя