Антава

NEXPERIA

Транзистор BSS123,215

BSS123,215
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
0.15A
Power dissipation
0.25W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSS123,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current0.15A
Power dissipation0.25W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя