Антава

INFINEON

Транзистор BSR802NL6327HTSA1

BSR802NL6327HTSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
3.7 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSR802NL6327HTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current3.7 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSC59
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59

Документация

Документ производителя