INFINEON
Транзистор BSR802NL6327HTSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ 2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 3.7 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.5 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 467 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%171,34 ₽
Сумма · с НДС 22%171,34 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 171,34 ₽ | |
| от 10 | 114,47 ₽ | |
| от 50 | 78,74 ₽ | |
| от 100 | 67,99 ₽ | |
| от 500 | 51,04 ₽ | |
| от 1000 | 46,30 ₽ | |
| от 3000 | 41,19 ₽ | |
| от 6000 | 38,82 ₽ | |
| от 9000 | 37,73 ₽ | |
| от 24000 | 35,54 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 3.7 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Корпус | SC59 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 32 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.