Антава

INFINEON

Транзистор BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-290 mA
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 24 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%131,64 ₽

Сумма · с НДС 22%131,64 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1131,64 ₽
от 1094,67 ₽
от 2576,82 ₽
от 5065,10 ₽
от 10055,36 ₽
от 50040,57 ₽
от 100039,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSR316PH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-290 mA
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSC59
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59

Документация

Документ производителяДокумент производителя