Антава

INFINEON

Транзистор BSR315PH6327XTSA1

BSR315PH6327XTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-0.49 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSR315PH6327XTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-0.49 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSC59
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59

Документация

Документ производителя