INFINEON
Транзистор BSP92PH6327XTSA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -250 V
- Drain current
- -260 mA
- Рассеиваемая мощность
- 1.8 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 143 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%180,93 ₽
Сумма · с НДС 22%180,93 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 180,93 ₽ | |
| от 10 | 119,23 ₽ | |
| от 100 | 66,76 ₽ | |
| от 200 | 57,17 ₽ | |
| от 500 | 47,95 ₽ | |
| от 1000 | 42,70 ₽ | |
| от 2000 | 38,72 ₽ | |
| от 4000 | 35,64 ₽ | |
| от 5000 | 35,10 ₽ | |
| от 10000 | 32,93 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSP92PH6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -250 V |
| Drain current | -260 mA |
| Рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.